超高頻電晶體與模型技術技術

本計畫主要以超高頻電晶體與模型技術為架構。鎖定B5G / 6G 超高頻元件領域，開發從元件、IC設計、封裝、測試到系統應用之關鍵核心技術，將發展大尺寸晶圓超高頻元件製程，據以推進並提升III-V與矽半導體產業製程之研發。本主題班針對GaN 元件操作之非理想效應，指導工程人才測試、分析及模型優化，尤其對於功率放大器的信號驗證，對於大信號模型的誤差進行分析。